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本发明请求保护一种高带宽CMOS APD器件，常规的CMOS APD结构未考虑除耗尽层以外的带宽改善方法，其仅考虑缩小耗尽层横纵宽度来减少少数载流子渡越时间。为进一步提高CMOS APD的带宽，故通过调节电极距离光照区N+层的边界的长度L和...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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