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本申请实施例公开一种光电探测器，包括：硅层，所述硅层包括第一掺杂类型的掺杂区；与所述硅层接触的锗层，所述锗层包括第二掺杂类型的掺杂区；氮化硅波导，所述氮化硅波导沿所述锗层的至少三个侧壁的延伸方向围绕所述锗层设置；其中，所述氮化硅波导用于传输...
该专利属于武汉光谷信息光电子创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光谷信息光电子创新中心有限公司授权不得商用。

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