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本发明涉及一种平面栅IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域，用于解决现有技术中关断损耗较大的技术问题。本发明的平面栅IGBT器件，包括第一关断通路和第二关断通路，由于第一关断通路和第二关断通路是IGBT关断过程中载流子抽取的通道，因此通过...
该专利属于株洲中车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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