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本发明公开了一种超级结的制造方法，包括步骤：步骤一、在具有第一导电类型的半导体衬底上形成多个侧面倾斜的沟槽，在沟槽的深度范围内的半导体衬底的掺杂浓度均匀；步骤二、在沟槽中填充具有第二导电类型的第一外延层；沟槽填充工艺设置为：随着外延生长的时...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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