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本发明属于半导体光电探测器领域，具体涉及一种抗辐照近红外焦平面探测器及制作方法；所述探测器包括探测器阵列芯片和CMOS读出电路；所述探测器阵列芯片通过铟柱连接CMOS读出电路；所述探测器阵列芯片的像元区由中心向四周依次为有效像元、哑元和冗余...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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