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本发明提供一种具有金属栅极的半导体器件结构及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一半导体衬底；2)于半导体衬底的表面形成第一伪栅极结构、第二伪栅极结构及介质层；3)去除第一牺牲栅材料层以形成第一沟槽，于第一沟槽内依次形成第一功函数金属层及第一...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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