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本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层制备金属掩膜层；在所述金属掩膜层上制备光刻胶并形成多个第二图形窗口，刻蚀形成凹槽结构；去除光刻胶，并对器件正面进行高温退火处...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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