温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种基于Cu的GaN HEMT无金欧姆接触电极的制备方法,具体步骤包括：对GaN HEMT外延层进行表面处理；形成源漏电极图形；沉积无金源漏电极金属层；life‑off形成源漏金属电极；对沉积源漏电极后的GaN HEMT进行退火处...
该专利属于桂林理工大学;宁波海特创电控有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桂林理工大学;宁波海特创电控有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。