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本发明公开一种单向阀及其制备方法，所述单向阀包括依次堆叠的第一基片层、中间层、第二基片层，其中：所述第一基片层，设置有第一开口；所述中间层，设置有单向阀体，所述单向阀体包括活塞柱结构以及被所述活塞柱结构间隔的流道，所述活塞柱结构通过活塞弹性...
该专利属于苏州原位芯片科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州原位芯片科技有限责任公司授权不得商用。

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