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电沉积法制备氧化镍纳米片上负载镍-氧化钼量子点制造技术
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文档序号:24077169
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本发明公开电沉积法制备氧化镍纳米片上负载镍‑氧化钼量子点,将碳布表面活化得到预处理好的碳布;将表面活化的碳布作为工作电极,碳棒作为对电极,置于配好的镍盐电解质溶液中,用工作站恒压沉积,得到前驱体材料;将沉积好的前驱体材料置于配好的钼盐电解质...
该专利属于天津大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津大学授权不得商用。
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