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本发明公开了一种微系统模组的深硅空腔刻蚀方法，具体包括如下步骤：101)初步刻蚀步骤、102)初步定形步骤、103)刻蚀终止层步骤；本发明提供了一种可以解决结构精度问题与结构缺陷问题的高效制作微系统模组的深硅空腔刻蚀方法。...
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