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本实用新型提供了一种降低正向压降的肖特基二极管，第一导电类型碳化硅漂移层一，位于第一导电类型碳化硅衬底的正面；一第一导电类型碳化硅漂移层二，位于第一导电类型碳化硅漂移层一上；第二导电类型的有源注入区以及第二导电类型JTE注入区设于第一导电类...
该专利属于泰科天润半导体科技(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰科天润半导体科技(北京)有限公司授权不得商用。

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