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本实用新型公开了一种基于石墨烯压阻效应的压力传感器，包括高阻硅衬底，高阻硅衬底上方设有二氧化硅氧化层，二氧化硅氧化层中部刻蚀正三棱柱空腔，空腔上覆盖三角形石墨烯薄膜，石墨烯薄膜层数为1到3层，在正三棱柱顶面边长两端点处刻蚀金属电极。当石墨烯...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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