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本发明的半导体装置具备：基板，在主面上具有从外部输入交流电力的输入部、与形成于外部的接地体连接的接地部、向外部输出整流后的直流电力的输出部、以及半导体层；第一肖特基势垒二极管，形成为在所述半导体层的第一区域中，阴极连接到所述输入部，阳极连接...
该专利属于激光系统所有，仅供学习研究参考，未经过激光系统授权不得商用。

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