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本发明公开了一种双金属功函数栅的可重构场效应晶体管，该晶体管包括纳米线沟道、包裹在纳米线沟道外侧的栅极氧化物、纳米线沟道一端的源极、纳米线沟道另一端漏极、分别设置在源极和漏极外侧采用不同金属功函数的控制栅极和极性栅极、分别设置在源极和控制栅...
该专利属于华东师范大学;上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学;上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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