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本发明提供一种半导体器件，包括：衬底上的半导体鳍；沿着所述半导体鳍的侧壁和顶表面的栅极结构，其中所述栅极结构覆盖所述半导体鳍的第一部分；源极/漏极部件；以及与所述源极/漏极部件连接的源极/漏极接触部，其中所述源极/漏极接触部向下延伸到低于所...
该专利属于联发科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联发科技股份有限公司授权不得商用。

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