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本发明提供一种单晶硅晶棒的长晶方法，所述长晶方法依次包括放肩阶段和等径阶段，其中，通过控制所述放肩阶段的放肩速度和/或温度来增加放肩段的高度，以使固液界面在所述放肩阶段完成从向下凹陷到平坦的过渡。本发明提供的单晶硅晶棒的长晶方法能够避免晶棒...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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