温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种深紫外半导体发光二极管的外延结构的制备方法，包括以下步骤：(1)在磁控溅射系统中，对衬底进行热处理，等离子清洗；(2)通过控制铝靶和/或硅靶的轰击功率、反应室气压及气体流量比在衬底上依次生长N型过渡层、N型下限制层、下波导层...
该专利属于海南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过海南师范大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。