温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供鳍部、沟道层和栅极结构，沟道层形成于鳍部顶部，栅极结构形成于沟道层顶部；刻蚀栅极结构两侧的部分沟道层，以形成位于余下沟道层一侧的漏区凹槽；在余下沟道层靠近漏区凹槽一侧的内部或者侧壁上形成隧穿层...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。