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本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，其包含沟道层，设置于衬底上方；阻挡层，设置于沟道层上方；化合物半导体层，设置于阻挡层上方；一对源极/漏极，设置于衬底上方且分别位于化合物半导体层的两侧；氟化区，设置于化合物半导体层内；以及栅极，设置于...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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