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一种低钳位内嵌降容二极管的新型可控硅器件，包括可控硅模块、二极管模块，可控硅模块与二极管模块形成于硅衬底的异质外延层上，可控硅模块与二极管模块分别采用深槽DTI隔离。本发明产品解决了集成二极管的可控硅器件钳位电压高的问题，获得一种在同等面积...
该专利属于上海维安半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海维安半导体有限公司授权不得商用。

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