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本发明公开一种沟槽式晶体管结构及其制造方法，其中该沟槽式晶体管结构包括基底结构、晶体管元件与静电放电保护元件。基底结构定义有第一区与第二区，且具有位于第一区中的第一沟槽及位于第二区中的第二沟槽。晶体管元件位于第一区中，且包括位于第一沟槽中的...
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