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本发明提供了一种陶瓷基板覆铜及高功率电子芯片全铜互联封装方案，具体步骤包括：S1陶瓷基板表面沉积铜层作为粘接层；S2在所述粘结层表面涂敷纳米铜交联剂，印刷包括陶瓷基板、粘接层、纳米铜交联剂的电路，并烘烤制备预制件；S3在所述预制件上，安装背...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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