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一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器制造技术
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下载一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器的技术资料
文档序号:23989812
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一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器,涉及吸收器。呈三层结构,从下而上依次为金属层(1)、介质层(2)、石墨烯层(3),三层结构之间相互贴合。所述金属层的材料为金或铜等良导体,金属层的厚度大于入射波的趋肤深度;所述介质层的材料为二氧化...
该专利属于安阳师范学院所有,仅供学习研究参考,未经过安阳师范学院授权不得商用。
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