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本发明公开了一种太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：S1：在硅基体的至少一个表面上设置掺杂硅层；S2：在掺杂硅层的预设区域上设置涂层；S3：去除未设置所述涂层区域的掺杂硅层，在所述硅基体的至少一个表面形成局部掺杂硅层。该工艺利用涂层完成局部...该专利属于晶澳太阳能有限公司;晶澳(扬州)太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶澳太阳能有限公司;晶澳(扬州)太阳能科技有限公司授权不得商用。