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提出了一种在半导体器件的表面上溅射铝层的方法。该方法包括三个用于沉积铝层的溅射步骤，其中，每个溅射步骤包括与另一个溅射步骤的相应溅射参数不同的至少一个溅射参数。半导体器件的表面包括介电层，该介电层具有穿过介电层形成的多个开口。...
该专利属于通用电气公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用电气公司授权不得商用。

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