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本发明提供一种基于内连技术的激光充电高效太阳电池及其制备方法，本发明所提供的基于内连技术的激光充电高效太阳电池设计其制备方法包括：该激光充电高效太阳电池的半导体材料结构从下到上依次为Ge衬底，缓冲层I型GaAs层，p型GaInP选择性层2，...
该专利属于上海空间电源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海空间电源研究所授权不得商用。

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