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一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法技术
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文档序号:23895692
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本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法,属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件,包括:外延材料层;次集电层;集电层;氮化硅层;集电极接触孔金属层;P‑氮化镓基层;发射极层;P型多晶硅层;以及...
该专利属于复旦大学所有,仅供学习研究参考,未经过复旦大学授权不得商用。
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