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本申请涉及具有延伸穿过层堆叠的沟道开口或支柱的半导体装置和系统，以及形成方法。装置、系统和结构包含布置于层的一或多个层面中的材料的竖直交替层的堆叠。其中可形成沟道支柱的沟道开口延伸穿过所述堆叠。所述支柱包含横向延伸到所述沟道开口的“底切部分...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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