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一种具有宽能隙三五族汲极的金属氧化物硅半导体场效晶体管及其制造方法，乃在金属氧化物硅半导体场效晶体管结构中，于硅(100)基板上制作百纳米纳米级孔洞，此百纳米纳米级孔洞可随后将硅基板的(111)晶面暴露，而有利于选择性区域成长高质量的三五族...
该专利属于财团法人交大思源基金会所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人交大思源基金会授权不得商用。

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