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本发明涉及具有SiC半导体本体的半导体器件和制造半导体器件的方法。本发明提供一种碳化硅衬底（700），其中碳化硅衬底（700）具有沟槽（750），该沟槽（750）从碳化硅衬底（700）的主表面（701）延伸到碳化硅衬底（700）中并且在沟槽...
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