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本发明公开了一种具几何结构的二维半导体的形成方法，其包含下列步骤：形成纳米层；将设置二维材料于一基板上；形成媒介层于二维材料上；自基板上转移媒介层与二维材料至该纳米层；去除媒介层，使该二维材料留在该纳米层的表面上。通过具几何结构的二维半导体...
该专利属于李奕贤所有，仅供学习研究参考，未经过李奕贤授权不得商用。

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