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公开单晶异种二维材料的外延生长方法及层叠结构体。该方法包括如下步骤：形成单晶h‑BN模板；在所述h‑BN模板上沉积异种前体，以形成多个核；以及使被沉积的多个核进行范德华外延生长，以形成异种结构层，其中，所述异种结构层为单晶。...
该专利属于韩国科学技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过韩国科学技术研究院授权不得商用。

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