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本发明公开了一种山奈脱毒苗的繁育方法。本发明方法包括以下步骤：外植体准备、无菌芽获得、无菌芽的继代壮芽、无菌苗增殖及生根、生根苗炼苗和移栽；待生根苗长至6‑8cm高时，室温炼苗后移至温室最后移栽到田里。采用本发明方法得到的芽增值系数为3.2...
该专利属于中国科学院华南植物园所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院华南植物园授权不得商用。

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