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本文中公开一种掺杂金刚石半导体和使用激光的制造方法。如所公开的，可将掺杂物和/或金刚石或蓝宝石晶种材料添加到定位于限制层下方的基于石墨的烧蚀层，所述烧蚀层也是基于石墨的且定位于背衬层上方，以通过激光束作用于所述烧蚀层来促使形成具有所需半导体...
该专利属于金刚石技术有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过金刚石技术有限责任公司授权不得商用。

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