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本发明涉及一种制备半导体性碳纳米管准阵列薄膜的方法，属于碳纳米管领域。本方法包括：取半导体性碳纳米管，溶解于易挥发有机溶剂中，得到半导体性碳纳米管溶液；取基底，经清洗、烘干后，垂直浸入去离子水中，且仅留出够夹持基底的部分于水面上，此时在基底...
该专利属于中国科学院空间应用工程与技术中心所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院空间应用工程与技术中心授权不得商用。

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