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本发明涉及大功率半导体器件结构设计技术领域；公开了一种压接式IGBT器件结构优化设计方法，该方法包括以下处理步骤：基于待优化的压接式IGBT器件，选取设计目标；基于压接式IGBT器件，建立热力耦合有限元分析模型M0，进一步地选取耦合温度‑位...
该专利属于湖南城市学院所有，仅供学习研究参考，未经过湖南城市学院授权不得商用。

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