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一种掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，它涉及半导体功率器件制造技术领域。一种掺杂HfO2铁电栅介质的InAlNGaN HEMT器件它包含SiC衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层、栅...
该专利属于淮阴师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过淮阴师范学院授权不得商用。

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