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本发明实施例公开了一种总剂量效应缺陷模型的确定方法及装置。该总剂量效应缺陷模型的确定方法包括：构建晶体管三维结构模型；获取初始空穴陷阱电荷参数至晶体管三维结构模型，形成初始辐射缺陷损伤模型；基于晶体管三维结构模型中设定的物理模型和数值求解方...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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