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一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部，所述第一鳍部具有相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁朝向第二鳍部，所述衬底上还具有覆盖第一鳍部和第二鳍部部分侧壁的隔离层，且所述隔离层表面低于第一鳍部顶部...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。