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本公开提供一种竖直石墨烯及其生长方法，该竖直石墨烯的生长方法包括：提供一基底，所述基底置于反应腔室；通入碳源并额外引入竖直方向的电场于所述反应腔室，以在所述基底表面进行气相沉积反应生长竖直石墨烯。通过向气相沉积反应体系引入竖直电场，使石墨烯...
该专利属于北京石墨烯研究院;北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京石墨烯研究院;北京大学授权不得商用。

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