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公开了一种双向功率器件,双向功率器件包括:半导体层;位于半导体层中的沟槽;位于沟槽侧壁上的栅介质层;位于沟槽内的控制栅,控制栅从半导体层的第一表面延伸至沟槽下部;其中,控制栅与半导体层之间由栅介质层隔开。本申请中沟槽内的控制栅从半导体层的第...该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。
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公开了一种双向功率器件,双向功率器件包括:半导体层;位于半导体层中的沟槽;位于沟槽侧壁上的栅介质层;位于沟槽内的控制栅,控制栅从半导体层的第一表面延伸至沟槽下部;其中,控制栅与半导体层之间由栅介质层隔开。本申请中沟槽内的控制栅从半导体层的第...