温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种高密度的相变存储器三维集成电路结构，其特征在于：包括选通管单元和n个相变存储单元，其n为整数，n≥2；所述选通管单元的第一端接地，第二端同时与所述n个相变存储单元相连；所述n个相变存储单元并列排布，各相变存储单元的一端共同连...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。