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本发明公开了一种非接触式测量硅晶圆电阻率的光学方法，运用强度周期性调制的、光子能量大于硅禁带宽度的激光经准直、扩束后激励硅晶圆，在其中产生浓度周期性变化的自由电子/空穴对；自由电子/空穴对通过辐射复合所发出的近红外荧光信号由一组离轴抛物面镜...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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