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本发明属于半导体功率电子器件技术领域，更具体地，涉及一种垂直型GaN基凹槽结势垒肖特基二极管及其制作方法。器件结构由下往上依次包括：覆盖衬底的欧姆接触电极‑二极管阴极；GaN自支撑衬底；n型低载流子浓度区域‑器件漂移区，包括第一漂移区和位于...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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