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本发明涉及一种半导体封装结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：在导热基底的上表面形成多个容置凹腔，在每个所述容置凹腔中均设置一高散热型半导体芯片，在所述导热基底的上表面依次设置第一、第二、第三热阻绝缘层，在所述第三热阻绝缘层上沉积形成金属布...
该专利属于徐州顺意半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过徐州顺意半导体科技有限公司授权不得商用。

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