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一种用于抗单粒子翻转存储器的可选位宽纠检错电路，包括纠检错编码模块和纠检错解码模块；纠检错编码模块能够对11～64位宽的输入数据进行校验码编码操作，生成用于对数据进行纠检错的8位校验码，和输入数据一起输出给纠检错解码模块；纠检错解码模块对数...该专利属于北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所授权不得商用。