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本发明提供了一种复合型碳薄膜及其制备方法和应用。所述复合型碳薄膜的制备方法包括如下步骤有：将碳靶材和能量密度贡献主体元素靶材在真空条件下进行磁控溅射处理，在基体上生长复合型碳薄膜层。本发明复合型碳薄膜的制备方法一方面赋予制备的复合型薄膜的比...
该专利属于桂林电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过桂林电子科技大学授权不得商用。

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