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本发明公开了一种三维存储器及其读取方法，包括相变存储单元和选通管，其中，相变存储单元与选通管串联形成串联结构，位于字线和位线之间，字线和位线进行多层堆叠形成立体结构，当相变存储单元处于高阻态，且选通管刚刚开启时，相变存储单元两端的电压小于相...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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