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一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置制造方法及图纸
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下载一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置的技术资料
文档序号:23556859
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本发明公开了一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置。在DLTS测试系统上添加光学系统,成为DLTS与DLOS耦合的测试系统,可以同时改变待测样品所处环境的温度和光子能量条件,分别获得不同测试条件下的待测样品的电容值,根据...
该专利属于湘潭大学所有,仅供学习研究参考,未经过湘潭大学授权不得商用。
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